PECVD-4000型等离子体化学气相沉积设备

PECVD-4000型： 三个沉积室+单样品送取样室，特别适用P-I-N膜层沉积或类似应用

应用方向：科研与小批量生产

产品优势：三个沉积室+单样品送取样室，特别适用P-I-N膜层沉积或类似应用

产品配置：

★样片数量及尺寸：1片Ф6英寸

★沉积材料：包括并不限于硅基（Si）薄膜、碳基（C）薄膜、硅锗合金（SiGe）、钨硅合金（WSi2）、W、SiC。

★沉积腔体：三个沉积室，均为高真空系统

★Load-Lock：低真空系统 或 高真空系统。单片装，样品自动运送。

★沉积不均匀性：±3%-±6%

★沉积速率：20-600nm/min（视具体材料与工艺）

★工作台：可升降，高度可调

★加热：常规加热，可选高温加热

★电源配置：射频；直流偏压

★气路数量与种类：每个沉积室标配4路气路 或 用户选配 

★光学性能监测：可选配椭偏仪在线监测系统

★渐变折射率薄膜制备：可选配快速流量变化与控制系统

操作模式：全自动+半自动控制

类似产品：双沉积室带预真空室（PECVD-802L）

设备详细结构与功能，请咨询销售工程师。