磁控溅射镀膜机设备原理

  磁控溅射镀膜机设备原理：电子在电场的作用下，与氩原子碰撞，使大量氩离子和电子飞入基板，使电子飞入基板。氩离子在电场的作用下，加速对靶材的轰击，溅出大量的目标原子，形成一层中性靶原子(或分子)沉积在基板上。二次电子受洛仑磁力的影响，并将其限制在目标附近的电浆区域，该区域的等离子体非常致密，在磁场的作用下，二次电子围绕目标表面进行圆周运动。通过与氩原子的不断碰撞，电离产生了大量的氩离子轰击目标材料，碰撞后，电子能量逐渐下降，脱离磁线束，远离目标材料，沉积在基底。      

  磁控溅射镀膜机设备是通过磁场限制和延长电子的运动路径，改变其运动方向，提高工作气体的电离率，有效利用电子。电子化不仅仅是基板，真空室壁和靶阳极也是电子的归宿。但是电子衬底和负极室的大小是相同的。

  磁控溅射镀膜机设备的基本原理是在电场和交变磁场的作用下，利用Ar102混合气体中的电浆加速高能粒子轰击靶表面。能量交换后，靶表面的原子与原晶格分离，转移到基表面形成膜。首先要从“溅射现象”入手，才能实现磁控溅射镀膜机设备。人类经历了从发觉“溅射现象”到“溅射镀膜”这一阶段经历了相当长的时间，溅射现象早在19世纪50年代就被发现了。但是，当时只是把这一现象当作“避讳”，认为这一现象是有害的。只有到了20世纪，沉积金属才被证实是正离子轰击阴极时才溅出的物质。溅射制钽薄膜在20世纪60年代出现。一九六五年出现同轴柱式磁控溅射镀膜机设备及三层溅射装置，七十年代研制开发出高速磁控溅射镀膜设备，使溅射镀膜一日千里，飞快发展。

  磁控溅射法具有成膜率高、衬底温度低、膜粘附性能好等特点。可分为直流磁控溅射法和RF磁控溅射法。