离子束刻蚀机原理

离子束刻蚀机原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放由高能电子组成的气体形成等离子体或离子体。当电离气体原子通过电场加速时，它会释放足够的力，并将材料或蚀刻表面与表面驱动力紧密结合。在某种程度上，等离子体清洁本质上是等离子体蚀刻的一种轻微情况。干蚀刻设备包括反应室、电源和真空部分。工件被送到真空泵的反应室。气体被引入并与等离子体交换。等离子体在工件表面反应，挥发性副产物被真空泵带走。等离子体蚀刻过程实际上是一个反应性等离子体的过程。发展是将货架安装在反应室中。用户可移除货架，配备适当的等离子体蚀刻方法:反应等离子体(RIE)、顺流等离子体(downstream)、直接等离子体(directionplasma)。

离子束刻蚀机的缺点

1.硅片水平运行，机片高(等离子蚀去PSG槽浸泡干燥，硅片冲击小)；

2.下料吸笔易污染硅片(PSG等离子体腐蚀后干燥)；

3.(PVDF、PVDF、PP材料，水平放置易变形)；

4.成本高(化学蚀刻代替等离子蚀刻的成本增加)。

此外，离子束刻蚀机还具有无氟氯化碳和污水、操作和环境安全、消除有毒和腐蚀性液体等绿色优点。离子束刻蚀机支持以下四种平面等离子体处理方法：

直接模式-底片可直接放置在电极支架或底座支架上，以达到较大的平面蚀刻效果。

定向模式-非等向性蚀刻基片可放置在特殊的平面支架上。