反应离子刻蚀机操作方法

感应耦合等离子刻蚀机厂家分享：反应离子刻蚀机操作方法

       根据向芯片盘片施提升RF（频射）磁场，在系统中起动等离子技术。该场一般设置为13.56兆赫兹的頻率，释放在好几百泰利斯。震荡静电场根据脱离电子器件来弱电解质汽体分子结构，进而造成等离子技术。

       到场的每一个循环系统中，电子器件在室中左右电加快，有时候碰撞室的上壁和芯片盘。另外，回应于RF静电场，更大品质的电离挪动相对性较少。当电子器件被消化吸收到腔室壁里时，他们被简易地送至路面而且始终不变系统的电子器件情况。殊不知，堆积在芯片盘片上的电子器件因为其DC防护而造成 盘片堆积正电荷。这类正电荷堆积在盘片上造成大的负工作电压，一般约为好几百伏。因为与自由电子相较为高的正离子浓度值，等离子技术自身造成稍微正电。

       因为大的工作电压差，正离子趋向于房屋朝向芯片盘飘移，在芯片盘里他们与待蚀刻工艺的试品撞击。电离与试品表层上的原材料产生化学变化，但还可以根据迁移一些机械能来敲除（无心插柳）一些原材料。因为反映电离的绝大多数竖直传送，反映电离蚀刻工艺能够造成十分各种各样的蚀刻工艺轮廊，这与湿有机化学蚀刻工艺的典型性各向异性轮廊产生比照。

       RIE系统中的蚀刻工艺标准挺大水平上在于很多加工工艺主要参数，比如工作压力，气体压力和RF输出功率。RIE的改善版本号是深反映电离蚀刻工艺，用以发掘浅层特点。