等离子体蚀刻机台简介

       等离子体蚀刻机台种类紧多，不同的蚀刻机台生产厂商的设计也各不相同。由于等离子体是通过外加能量输入来维持蚀刻气体的等离子体态的，不同的能量输人方式以及机台结构的设计对等离子体的性能及应用会产生很大的影响。本节介绍几种在超大规模集成电路生产中比较常用的等离子体使刻机台，分别是电容合等离子体蚀刻机台( Capacitively CoupledPlasma，CCP)、电感合等离子体机台( Inductively Coupled Plasma，ICP＆ TransformerCoupled Plasma，TCP)、电子回旋共振等离子体蚀刻机台( Electron Cyclotron ResonanceECR)、远距等离子体蚀刻机台( Remote Plasma)和等离子体边缘蚀刻机台( Plasma BevelEtch)。前3种蚀刻机台是以等离子体产生方式命名的，后两种机台主要是通过特殊的结构设计来达到不同的蚀刻效果。远距等离子体蚀刻机台通过过滤掉等离子体的带电粒子，利用自由基与待使材料进行蚀刻反应。这种反应是纯化学反应，属于各向同性蚀刻。等离子体边缘使刻机台则是通过反应腔室结构的特殊设计，只对晶圆的边缘区域进行清洁蚀刻，对于降低缺陷数目、提升良率具有很好的效果。